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摘要
本发明公开了一种柔性衬底金属氧化物薄膜晶体管及其钝化层的制备方法,所述钝化层的制备方法包括以下步骤：在柔性衬底上沉积设定厚度的栅极层、栅介质层、有源层、源电极和漏电极,得到薄膜晶体管；将薄膜晶体管浸入烧杯内的磷酸正十八酯溶液内,将烧杯密封；将密封好的烧杯置于通风橱设定时间,将在薄膜晶体管表面得到的自组装单分子层作为钝化层。本发明能隔绝薄膜晶体管的柔性衬底以及金属氧化物沟道层的背表面与大气的直接接触,避免柔性衬底对水分子、吸附氧的吸附,以及过量的水分和氧气等空气中的敏感元素对沟道层的侵蚀作用,提高薄膜晶体管上载流子的迁移率以及薄膜晶体管的电学稳定性。本发明可广泛应用于半导体领域。
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