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摘要
介绍了一款基于GaAs肖特基二极管单片工艺的220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率，倍频器采用多阳极结构，8个二极管在波导呈镜像对称排列，形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题，提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试，测试结果显示：倍频器在204～234 GHz频率范围内，转化效率大于15%;226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为90.5 mW，转换效率为22.6%。设计的220 GHz倍频器输出功率高，转化效率高，工作带宽大。
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