一种片上多电压输出LDO电路

作者:闫容赫; 张丙可; 常兴宏; 王彬; 孔谋夫*
来源:微电子学, 2023, 53(05): 877-883.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.230116

摘要

提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO),可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18μm BCD工艺设计,工作在9.5~15.5 V宽电源电压范围内,并且具有较好的相位裕度、较高的响应速度以及较好的线性调整率,能够满足芯片内部多个电源轨的供电需求。采用Cadence仿真并进行了流片试制,仿真和测试结果表明,该LDO主环路在全负载范围内具有较好的相位裕度,输出电压纹波较小。在输入电压为9.5~15.5 V时,两级LDO的输出电压分别稳定在4.53 V和1.80 V,具有较好的线性调整率。LDO用于GaN驱动芯片时,能稳定地为逻辑和驱动等模块提供电源电压。

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