BGSPTx系高温压电陶瓷的结构及性能

作者:赵毅; 江一杭; 石韦; 李丽华; 朱建国
来源:电子元件与材料, 2008, (5): 28-31.
DOI:10.3969/j.issn.1001-2028.2008.05.009

摘要

把BiGaO3作为第三组元引入BiScO3-PbTiO3 (BS-PT)体系,用氧化物合成法制备了0.155BiGaO3-(0.845-x)BiScO3-xPbTiO3 (BGSPTx,x为0.54~0.58)压电陶瓷.XRD分析表明,BGSPTx具有钙钛矿结构,但同时存在微量的富铋相.三方–四方准同型相界(MPB)位于x为0.56附近.在MPB附近,BGSPTx陶瓷的d33,kp和Pr都达到

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