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摘要
本文针对3D堆叠磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory,MRAM）的热学分析问题，在有限元法和热阻网络法的基础上，提出了一种局部等效法，可高精度并且快速地分析3D堆叠MRAM的热学分布.与有限元法相比，该方法使用直观方便，克服了有限元法建模与求解复杂耗时的问题；与热阻网络法相比，局部等效法具有保持较高精度的特点，解决了热阻网络法针对带夹层和硅通孔（Through Silicon Via,TSV）的复杂封装问题时存在较大误差的问题.对比结果表明，使用本文提出的方法得出的各叠层的上表面温度误差均小于0.05°C，精度与有限元法一致，并且更便捷高效.同时对应的建模结构简单，避免了热阻网络法将含铜柱的夹层和含铜柱的硅层分开考虑的不准确性.本文的研究可为未来多层3D堆叠MRAM热学特性相关的设计与分析提供指导.
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