登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
宽禁带半导体技术最新进展
作者:李耐和
来源:
电子产品世界
, 2007, (01): 82+84+86.
GaN
SiC
AlN
宽禁带半导体材料
功率放大器
摘要
介绍DARPA宽禁带半导体技术计划第二阶段计划目标及其演示进展情况。
相似论文
引用论文
参考文献