放电等离子烧结硼-碳系陶瓷

作者：章嵩; 杨蕊; 沈强; 王传彬; 张联盟

来源：人工晶体学报, 2007, (03): 672-674.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.03.042

• 碳化硼
• 放电等离子烧结
• 合成
• 致密化 boron carbide
• spark plasma sintering
• synthesis
• densification

采用高纯硼粉和碳粉放电等离子烧结工艺(Spark Plasma Sintering technique)烧结了三种不同化学计量比的硼-碳系陶瓷,分别为:B3.5C,B4.0C和B4.5C。用X射线衍射分析了烧结体的物相。结果表明:原始粉末在1300～1600℃合成富硼碳化硼陶瓷(B4C1-x),致密化过程则发生在1700℃～1900℃。用放电等离子烧结成功地在1900℃获得了相对致密度大于95%的碳化硼陶瓷。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学