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摘要
本发明公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的无损伤转移工艺获得柔性紫外探测器及方法。该方法先在石墨烯衬底上外延生长GaN纳米柱阵列,得到结构A；再在结构A表面旋涂PMMA并加热固化,得到结构B；接着湿法刻蚀去除结构B的衬底层,得到PMMA/GaN纳米柱阵列/石墨烯复合薄膜,并将其转移至镀上电极结构的柔性衬底上,转移后再旋涂PMMA并加热固化,使得第一层PMMA内部的应力得到释放,实现GaN纳米柱阵列/石墨烯与柔性衬底的完美贴合,防止裂纹和皱褶的出现,最后去除PMMA,得到柔性紫外探测器。本发明实现了紫外探测器的透明化、柔性化,可用于智能穿戴、弯曲显示、柔性传感成像等领域,经济效益可观。
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