科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种TEM样品制备方法,该方法包括以下步骤：使用聚焦离子束在目标结构上下两侧轰击出凹坑,对靠近目标结构两侧侧壁进行清理,然后对目标结构进行U型切割,而后使用纳米操纵仪将目标结构原位转移到铜支架上,然后将铜支架旋转90度使目标结构的侧面正对离子束方向,接着使用小束流将目标结构的侧面损伤区域切割清理干净,以便在目标结构的侧面上沉积保护膜,然后进行最后的细抛减薄。该方法可将传统FIB制备TEM样品侧面薄区范围从不足1微米提高到6微米以上,大大提高了对目标结构侧面微结构的观测范围。
- 单位
