谷电子材料通过调节谷自由度编码和处理信息，在下一代信息存储器件中极具应用潜力。谷自由度与多种铁性序参量相互耦合，可以实现非易失的信息存储，这同时促进了谷物理和多铁性物理的发展。文章首先介绍谷电子学物理背景，列举出各类存在自发谷极化的本征谷材料，随后概述二维多铁材料的磁电谷耦合。最后，关注了谷电子器件最新进展，对二维铁谷材料多铁耦合的发展前景做出展望。
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