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摘要
本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法,该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P-AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层,露出P-AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法,以GaN帽层为自停止层,刻蚀掉栅极区域外的P-AlGaN层,形成P-AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层,并在金属层、P-AlGaN层、P-AlGaN层的表面沉积介质材料,形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P-AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极,另一侧制备漏极,使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P-GaN侧墙缺陷产生的问题。
- 单位
