LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti含量优化

作者：徐火希; 徐静平

来源：Acta Physica Sinica, 2016, 65(03): 281-286.

• Ge MOS
• LaTiO
• 界面质量
• k值

采用共反应溅射法将Ti添加到La2O3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La2O3比率而言,18.4%的Ti/La2O3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值(22.7)、低Dit(5.5×1011eV-1·cm-2)、可接受的Jg(Vg=1V,Jg=7.1×10-3A·cm-2)和良好的器件可靠性.

• 单位
  黄冈师范学院; 华中科技大学; 光学与电子信息学院