极性半导体异质结构是通过极化调控实现多功能、高性能先进电子器件的一种有效策略.南京大学叶建东团队报道了κ-Ga2O3/GaN铁电/极性半导体的Ⅱ型异质结构,基于外场调控实现了κ-Ga2O3的铁电极化翻转,并揭示了极化电荷形成的电偶极子是导致界面能带弯曲的物理起源.基于界面能带偏移和铁电极化翻转,有望实现界面二维电子气在积累和耗尽状态切换,为发展基于铁电/极性半导体异质结的高电子迁移率晶体管、铁电非易失性存储器和超低功耗负电容晶体管等提供有效参考.
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