针对MOCVD-AlN生长的寄生反应很严重的现象,改进化学模型,通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布,发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值。垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈,其中聚合物粒子浓度在上壁面下方以三聚物和二聚物最高,AlN粒子在反应器中分布较为均匀,垂直喷淋式反应器模拟得到的AlN生长速率比实验值低。
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