Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

作者：汪建军; 方泽波; 冀婷; 朱燕艳; 任维义; 张志娇

来源：Acta Physica Sinica, 2012, (01): 470-474.

• Tm_2O_3
• X射线光电子能谱
• 能带偏移 Tm_2O_3
• s-ray photoelectron spectroscopy
• band offsets

利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.

• 单位
  西华师范大学; 复旦大学; 应用表面物理国家重点实验室; 绍兴文理学院