TD-LTE外场测试注重创新 终端芯片仍是瓶颈

作者：赵经纬

来源：通信世界, 2010, (42): 24.

DOI：10.13571/j.cnki.cww.2010.42.009

从外场测试情况看,在系统侧,TD-LTE在技术进展上已与FDDLTE差别不大,关键差距在芯片和终端层面。去年末以来,中国移动和工信部电信研究院一起在北京怀柔、顺义等地组织了TD-LTE外场测试,参与厂家包括11家设备商和超过12家的芯片厂商。中国工程院副院长邬贺铨告诉本刊记者,从外场测试情况看,在系统侧,TD-LTE在技术进展上已与