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摘要
设计了一种溴化装置，用于合成并稳定控制ZrBr4蒸气的流量。采用低压化学沉积技术，以Zr-Br2-C3H6-H2-Ar为体系，于1200°C在石墨基底上制备了Zr C涂层。研究了气体组分(源气C/Zr比)对Zr C涂层微观形貌及生长机制的影响。结果表明：源气C/Zr比为1.5时，涂层的沉积过程为以表面反应机制为主，Zr C涂层较为疏松。源气C/Zr比为0.51时，扩散动力学是涂层的主要生长机制，所制备的Zr C涂层具有致密均匀Zr C柱晶结构，并沿(200)晶面择优取向。同时，源气C/Zr比为0.5时，制备的Zr C涂层无自由碳存在并具有近化学计量比。
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单位中航工业复合材料技术中心; 国防科技大学
