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摘要
采用体积电阻率法、红外光谱、X射线衍射研究了V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃的电性能、结构和析晶状况。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的体积电阻率显著升高,电子分别以V4+和V5+为中心不停地进行电子跃迁的电子导电特征得到明显抑制,15%Sb2O3、20%Sb2O3玻璃的体积电阻率可以达到实用水平。当Sb2O3取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构得到增强,析晶状况得到改善,削弱了玻璃的导电能力。
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采用体积电阻率法、红外光谱、X射线衍射研究了V2O5–P2O5–Sb2O3–Bi2O3体系玻璃的电性能、结构和析晶状况。结果表明:随着Sb2O3取代部分V2O5,玻璃的体积电阻率显著升高,电子分别以V4+和V5+为中心不停地进行电子跃迁的电子导电特征得到明显抑制,15%Sb2O3、20%Sb2O3玻璃的体积电阻率可以达到实用水平。当Sb2O3取代V2O5进入钒酸盐玻璃中,玻璃结构得到增强,析晶状况得到改善,削弱了玻璃的导电能力。
