金红石型TiO2中四种点缺陷态研究

作者：朱海霞

来源：原子与分子物理学报, 2021, 38(01): 164-168.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2021.016008

• 金红石型TiO2
• 点缺陷
• 电子性质
• 第一性计算

利用第一性原理计算方法研究了金红石型TiO2中四种缺陷的电子态.这四种缺陷包括氧空位(Ov)、钛空位(TiV)、钛间隙(TiS)以及氧空位Ov与钛间隙态TiS共存态.氧空位的存在导致禁带内施主缺陷能级较浅,而深施主能级与Ti间隙态有关.预测了氧空位更倾向于与钛间隙结合,主要通过钛间隙态的3d电子部分转移到近邻近氧空位的部分形成OV-TiS对缺陷.具有Ov、TiS或OV-TiS缺陷的体系都出现间隙态,促进体系出现红外吸收.

• 单位
  电子工程学院; 盐城师范学院