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摘要
利用2×6 MV串列静电加速器提供的110 MeV质子,开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量,研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统,建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试验方法,分析了质子注量、质子能量、器件偏置等对器件电荷转移效率和暗电流的影响。模拟试验结果表明,电荷转移效率随辐照质子注量的增加而下降,暗电流随辐照质子注量的增加而增大,在110 MeV质子能量范围内,质子能量越低,电荷转移效率的降低与暗电流的增加越显著。
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单位西北核技术研究所; 北京大学
