退火处理对磁控溅射MoOx薄膜性质的调控

作者：石雨铭; 王莹琳^*; 李雅楠; 林剑飞; 朱匡宇; 张昕彤

来源：物理实验, 2022, 42(08): 48-53.

DOI：10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.08.008

• MoOx薄膜
• 退火气氛
• 退火时间
• 氧空位
• 电阻率

采用射频磁控溅射的方法制备了MoOx薄膜，并对MoOx薄膜进行不同气氛和时间的退火处理．退火使MoOx薄膜的氧空位增加，并改变了MoOx薄膜的晶相、电阻率和表面形貌．测试结果表明：未退火MoOx薄膜的表面不存在明显晶粒，且只包含1个单斜相衍射峰和较少的氧空位，这导致未退火MoOx薄膜的电阻率最高．当氮气做退火气氛时，MoOx薄膜表面存在均匀分布且生长取向相同的微粒，单斜相衍射峰数目更多，电阻率最低；在氮氢混合气中退火的MoOx薄膜表面存在团簇，且电阻率约为氮气退火MoOx薄膜的2倍．此外，当分别用氮气和氮氢混合气退火时，MoOx薄膜均呈现出随退火时间延长，氧空位含量增加，电阻率进一步降低的趋势．

• 单位
  物理学院; 东北师范大学