一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法

作者：徐苗; 李民; 周雷; 徐华; 李洪濛; 庞佳威; 彭俊彪; 王磊; 邹建华; 陶洪

来源：2021-06-04, 中国, CN202110625610.0.

本发明公开了一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底；源极和漏极,源极和漏极位于衬底的表面；层间绝缘层,层间绝缘层覆盖源极和漏极；有源层,有源层位于层间绝缘层背离源极和漏极一侧的表面,有源层包括源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区,源极在衬底的投影面积覆盖沟道区在衬底的投影面积或者漏极在衬底的投影面积覆盖沟道区在衬底的投影面积,其中,有源层包括金属氧化物半导体材料或者碳纳米管；栅极绝缘层和栅极,栅极绝缘层和栅极层叠设置在有源层背离层间绝缘层一侧的表面,其中,栅极绝缘层位于有源层和栅极之间。本发明实施例提供的技术方案,实现了一种饱和区特性良好且制备成本低的薄膜晶体管。

• 单位
  华南理工大学