对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

作者：胡明山; 王涛; 奚野; 刘景全^*

来源：传感器与微系统, 2019, 38(12): 5-9.

DOI：10.13873/j.1000-9787(2019)12-0005-05

• 大气压等离子体射流
• 单环电极
• 双环电极
• 聚合物薄膜刻蚀
• 表面形貌

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。

• 单位
  上海交通大学; 微米/纳米加工技术国家级重点实验室