一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法

作者：吕红亮; 李苗; 朱翊; 吕智军; 芦宾; 张玉明

来源：2019-10-14, 中国, CN201910974288.5.

本发明涉及一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括步骤：在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)；利用外延层转印技术在所述第一衬底(101)上制备InGaAs沟道层(108)，使所述InGaAs沟道层(108)覆盖所述漏区(104)并且与所述源区(105)部分交叠；在所述InGaAs沟道层(108)上生长栅氧化层(109)。该制备方法将外延层转印技术制备InGaAs沟道层与器件的结构相结合，形成的隧穿场效应晶体管为平面结构，有利于实现器件对准、电极隔离和器件互联，有利于实现高性能的异质集成系统。

• 单位
  西安电子科技大学