摘要
本发明公开了一种基于界面改性和绿色溶剂加工的有机薄膜晶体管。所述有机薄膜晶体管结构自下而上依次为栅极、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极;所述绝缘层材料为SiO-2;所述有源层通过非卤溶剂加工制备,材料为宽带隙聚合物PBODT。本发明提出一种通过改变绝缘层修饰过程中OTS溶液浓度调控半导体/绝缘层界面,绿色溶剂加工有源层的方法制备高迁移率有机薄膜晶体管。本发明通过OTS的界面修饰作用,显著改善了半导体/绝缘层界面缺陷,极大提高了器件迁移率;绿色溶剂的使用更是降低了对环境的污染,大大扩展了未来溶液选择的可能性。
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