SiCNW-Cf/LAS复合材料的制备和电磁波吸收性能

作者：丁楚珩; 侯甲彬; 夏龙^*; 张昕宇; 钟博; 张涛

来源：材料工程, 2020, 48(05): 41-48.

• SiCNW-Cf/LAS
• 不同摩尔硅碳比
• 吸波性能
• 电磁波损耗机理

采用热蒸发法,以乙炔黑为碳源,在碳纤维(Cf)布上制备不同摩尔硅碳比的SiC纳米线(SiCNW)。通过浆料浸渍及真空烧结工艺,以不同摩尔硅碳比下制备的SiCNW-Cf作为中间夹层制备SiCNW-Cf/LAS(Li2O-Al2O3-SiO2)复合材料。结果表明:随着摩尔硅碳比的减小,SiCNW的直径不断减小,产量先增加后减小,并在摩尔硅碳比为1∶3时达到最高。摩尔硅碳比为1∶1时,所制备的SiCNW-Cf/LAS具有对电磁波的最低反射损耗-40.9 dB(7 GHz,3 mm)。摩尔硅碳比为1∶3时,所制备的SiCNW-Cf/LAS具有吸收电磁波的最大有效带宽4.61 GHz(Ku波段,1.5 mm)。SiCNW-Cf/LAS复合材料优异的吸波性能归因于其对电磁波较高的介电损耗、散射损耗以及LAS对材料与空间阻抗匹配的调整。

• 单位
  哈尔滨工业大学（威海）; 材料学院; 山东交通学院