成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

作者：刘娟; 张锦; 冯伯儒

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (07): 1480-1484.

• 倾斜照明
• 成像干涉光刻技术
• 离轴照明技术
• 光刻技术 oblique illumination
• imaging interferometric lithography
• off-aixs illumination
• optical lithography

作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征.

• 单位
  中国科学院光电技术研究所; 中国科学院研究生院; 微细加工光学技术国家重点实验室