一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器

作者：宏潇; 陈后鹏; 宋志棠; 刘波

来源：微电子学, 2011, (04): 540-544.

• 相变存储器
• 时钟发生器
• 压控振荡器 Phase change memory
• Clock generator
• Voltage controlled oscillator

基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室