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摘要
为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求；基于55 nm CMOS工艺，设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器，该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成，在10～26 GHz频率范围内实现步进为0.5 dB、动态范围为0～31.5 dB的信号幅度衰减；为减小插入损耗，NMOS开关采用悬浮栅和悬浮衬底连接方式，同时采用了电容补偿网络和电感补偿以有效降低附加相移；仿真结果表明，在10～26 GHz的频带范围内，该数控衰减器的插入损耗小于-7 dB,输入/输出回波小于-10 dB,附加相移小于±3°,所有衰减态的衰减误差均方根小于0.8 dB,芯片的核心电路面积为0.36 mm×0.16 mm。
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