氧化镁晶须在镁质材料表界面的生长机制

作者：徐华伟; 杨政宏; 金丛进; 张品为; 张兴华; 节闯

来源：耐火与石灰, 2023, 48(05): 29-33.

DOI：10.16425/j.cnki.1673-7792.2023.05.007

• 镁质材料
• 碳化硅
• 氧化镁晶须
• 生长机制

采用烧结镁砂、电熔镁砂、硅微粉为原料制备了镁质浇注料，发现在镁质浇注料中引入碳化硅粉可在浇注料表界面形成纤维针状MgO晶须。对比分析了碳化硅细粉添加量和热处理温度对氧化镁晶须的影响，在低氧分压区域在达到1 450℃以上时镁热还原反应导致镁蒸气迁移至材料表界面，氧化后析出MgO晶须。添加量为3%～7%的97%碳化硅细粉的镁硅质试样表面在1 500℃热处理3 h容易集聚氧化镁晶须，且随着碳化硅添加量的增加，晶须生成量及发育情况均得到改善。