ZrO_2/SiO_2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

作者：邵淑英; 范正修; 邵建达

来源：Acta Physica Sinica, 2005, (07): 3312-3316.

• ZrO2/SiO2多层膜
• 残余应力
• 膜厚组合周期数 ZrO 2/SiO 2 multilayers
• residual stress
• periods of repeating thickness

ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多...

• 单位
  中国科学院研究生院; 中科院上海光学精密机械研究所