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摘要
小电流下饱和压降法（Vce法）和阈值电压法（Vth法）是IGBT热阻测试标准中推荐使用的两种结温测量方法，然而并没有说明两种方法测得的结温的关系及等效性。首先理论分析了小电流下饱和电压和阈值电压的电压构成，表明Vce法测得的结温反映的是芯片集电极侧的温度信息，Vth法测得的结温反映的是芯片发射极侧的温度信息，由于芯片内部存在垂直温度梯度，推断Vth法测得的结温将高于Vce法测得的结温；然后根据两种测量方法的测量原理，搭建了IGBT结温测量平台，在不同负载电流下用两种方法测量结温，实验结果验证了理论预测，且两种方法测得的结温的差值随着负载电流增加而增大。最后，提出一种简易热校准模型用于快速计算差值，使得两种方法的结果可以等效变换并进行公平对比。
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单位襄阳汽车职业技术学院; 上海交通大学
