本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法,所述的射频开关包括衬底,一层相变材料层,一层加热元件层,一层隔热层,一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来,使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平,最终实现减少寄生电容的目的,提高了整体器件的射频传输性能。
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