一种9～26 GHz宽带MMIC低噪声放大器的设计与实现

作者：叶坤; 张梦璐^*; 蒋乐; 豆兴昆; 丁浩

来源：电子与封装, 2023, 23(10): 70-74.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0139

• 低噪声放大器
• 电流复用
• 宽带
• 负反馈

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（p HEMT）工艺实现了一款工作频率覆盖9～26 GHz的宽带低噪声放大器。该放大器采用三级共源放大电路级联结构，前两级放大器采用电流复用来降低电路功耗，并提供一个较高的增益，并在后两级引入并联负反馈结构来扩展带宽、改善增益平坦度。测试结果表明，在9～26 GHz的宽频带范围内，芯片为单电源+5 V供电，静态电流为55 m A，噪声系数不大于2.5 d B，小信号增益大于18 d B并具有一定的正斜率，输出功率1 d B压缩点高于13 d Bm，尺寸为1.75 mm×1.05 mm，具有宽频带、低噪声、低功耗、面积小等性能优势。