摘要
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,具有高热导率、耐高温性、高发光率、大禁带宽度、抗辐射能力强和化学性质稳定等特性,在航天、电子通讯以及光学等多个领域起着至关重要的作用。实验上很难直接观测高温液态下的Si C中的微观结构,采用分子动力学模拟方法是研究高温液态微观结构的有效方法。本文基于Tersoff势函数,采用分子动力学模拟方法研究了高温液态Si C的等温过程,采用径向分布函数、配位数、H-A键型指数法和可视化方法分析了Si C等温过程中微观结构的特征。分析结果揭示了高温液态Si C的配位数主要有2、3、4、5,其常见的键型指数类型有6种,模拟系统形成了由不同大小团簇相互连接在一起构成的网络状结构。这些模拟结果对深入理解高温液态碳化硅结构特征,探索微观结构与宏观性能的关系具有重要意义。
- 单位