低温多晶硅薄膜晶体管的专利技术

作者：张雄娥

来源：电子世界, 2021, (16): 148-149.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2021.16.061

<正>低温多晶硅薄膜晶体管的研究已然成为全球研究热点,本文针对低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)普遍存在的漏电流大的技术问题,展开关于低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的几项专利技术研究进展的分析,主要涉及多晶硅有源层的相关技术改进。近年来,随着显示技术的迅速发展,尤其是液晶显示技术领域的发展,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)半导体有源层的电子迁移率要求要来越高。

• 单位
  国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心