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摘要
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm Fin FET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件, 14 nm Fin FET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2%增大至7.6%,源于14 nm Fin FET器件灵敏区尺寸(80 nm×30 nm×45 nm)、间距和临界电荷(0.05 f C)的减小.不同于65 nm器件对热中子免疫的现象, 14 nm Fin FET器件中M0附近10B元素的使用导致其表现出一定的热中子敏感性.进一步的中子输运仿真结果表明,高能中子在器件灵敏区中产生的大量的射程长、LET值大的高Z二次粒子是多位翻转的产生诱因,而单粒子翻转主要来自于p, He, Si等轻离子的贡献.
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