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摘要
研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管（SBD）正反向I-V特性，尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD，测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时，器件的击穿电压随着电极间距的增大而增大；当电极间距大于台面刻蚀深度时，器件的击穿电压随着电极间距的增大而几乎不发生变化。利用Silvaco软件进行了一系列的仿真研究，发现SBD的峰值电场强度不仅取决于电极间距，同时还受限于台面高度。研究表明在准垂直SBD研制中，为得到高击穿电压，电极间距应匹配器件台面的高度。
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