氮化硅陶瓷气压烧结工艺研究

作者：肖飞^*; 许壮志; 薛健; 张挽; 岳鑫

来源：陶瓷学报, 2019, 40(03): 382-386.

DOI：10.13957/j.cnki.tcxb.2019.03.019

• 氮化硅
• 气压烧结
• 烧结温度
• 气体压力

本文以自制氮化硅粉体为主要原料,通过高压成型、气压烧结工艺制备出致密的氮化硅陶瓷。考察了烧结温度、气体压力对氮化硅微观结构和相对密度、硬度的影响。采用XRD、SEM等测试手段对样品结构进行了表征,结果表明氮化硅气压烧结属于液相烧结,烧结温度在1400℃时开始出现液相,α相开始向β相转变,1600℃基本转变完全。在1-3 MPa范围内,提高N2压力有利于烧结致密化。在1800℃保温2 h、3 MPa压力下样品相对密度为99.41%,抗弯强度达960 MPa。