CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

作者：陈俊; 朱世富; 赵北君; 高德友; 魏昭荣; 李含冬; 韦永林; 唐世红

来源：功能材料, 2004, 35(z1): 3320-3322.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.931

• 晶体生长
• 蚀坑密度
• 布里奇曼法
• 晶体定向

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

• 单位
  四川大学