Ge/SiGe多量子阱调制器的研究进展

作者：黄强; 张意; 孙军强^*; 余长亮; 高建峰; 江佩璘; 石浩天; 黄楚坤

来源：激光与光电子学进展, 2022, 59(19): 39-50.

DOI：10.3788/LOP202259.1900003

• 光学器件
• 硅基光子学
• SiGe调制器
• Ge/SiGe多量子阱
• 量子限制斯塔克效应

硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破，但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。Ge/SiGe多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连，基于量子限制斯塔克效应的Ge/SiGe多量子阱调制器具有低功耗、低偏压、高速率的优点。总结了基于Ge/SiGe多量子阱调制器的研究现状和进展，讨论对比了Ge/SiGe多量子阱调制器的消光比、光损耗、偏置电压、电场、光调制器的调制带宽、暗电流等性能参数，展望了Ge/SiGe多量子阱调制器在集成光子学中的发展方向和面临的挑战。

• 单位
  邵阳学院; 华中科技大学