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摘要
石墨烯具有优异的光学和电学性质,同时其与其它二维材料形成的异质结在改善接触,能带调控等方面展现出了应用前景。然而,该类异质结结构中能带特性一直缺乏直接的研究分析,本文中以Graphene/MoS2异质结为研究对象,通过开尔文探针力显微镜原位分析了其能带结构。结果发现:在二维Graphene/MoS2异质结中,石墨烯的功函数比硫化钼的功函数小,Graphene/MoS2异质结具有有利于接触的能带结构,可以解释在类似的二维材料异质结电输运实验中,观察到较低的肖特基势垒;退火后,Graphene/MoS2异质结之间的肖特基势垒高度进一步减小。本课题组的研究显示出石墨烯在改善二维材料相关器件电学性能方面有很大的潜力。
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