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摘要
本发明公开了一种透射电镜(TEM)和压电力显微镜(PFM)通用的氮化硅薄膜窗口制备方法,作为一种基于氮化硅薄膜窗口的样品载网,对于TEM和PFM通用。该载网采用薄膜制备、光学曝光、剥离、干法刻蚀、湿法腐蚀等半导体加工工艺制程,制作出包含电极材料的氮化硅薄膜窗口。可将需要进行PFM测试的样品通过聚焦离子束(FIB)技术转移至该窗口的电极材料上方进行测试。该氮化硅薄膜窗口同时符合TEM对样品的要求,可放置于商业化的TEM样品杆前端进行表征。同时,电极包含通过曝光制备的定位数字,方便在进行TEM表征时定位测试材料。从而可以将PFM和TEM结果一一对应,得到电畴结构和微区原子结构的一一对应,为材料结构研究提供极大的便利,具有产业利用价值。
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