多量子势垒双阻挡层结构对AlGaN 基深紫外激光二极管的性能优化

作者：王梦真; 王瑶; 魏士钦; 王芳; 全智; 刘俊杰; 刘玉怀^*

来源：原子与分子物理学报, 2022, 39(02): 147-152.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2022.026004

• 多量子势垒
• 双阻挡层
• 深紫外激光二极管
• 载流子泄露

为提高AlGaN基深紫外激光二极管(Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD)有源区内载流子浓度,减少载流子泄露,提出一种DUV-LD双阻挡层结构,相对于传统的单一电子阻挡层(Electron Blocking Layer, EBL)结构,又引入一空穴阻挡层(Hole Blocking Layer, HBL),仿真结果证明空穴阻挡层的应用能很好地减少空穴泄漏.同时又对双阻挡层改用五周期Al0.98Ga0.02N/Al0.9Ga0.1N多量子势垒层结构,结果显示与矩形EBL和HBL激光二极管相比,多量子势垒EBL和HBL激光二极管有更好的斜率效率,并且有源区内电子和空穴载流子浓度以及辐射复合速率都有效提高,其中多量子势垒EBL在阻挡电子泄露方面效果更显著.