串联电容式RF-MEMS开关的研制

作者：孙建海; 崔大付

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (12): 2445-2448.

• 电容式RF-MEMS开关
• 电容率
• 插入损耗
• 隔离度 capacitive RF-MEMS switches
• capacitance ratio
• isolation
• insertion loss

研制了一种高电容率的电容式RFMEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在downstate时,上电极能与介质膜紧密接触,而在upstate时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院电子学研究所