化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜

作者：孙正亮; 陈立东

来源：材料科学与工程学报, 2010, (02): 248-250+231.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2010.02.033

• Bi2Se3薄膜
• 化学浴沉积 thermoelectric
• Bi_2Se_3 films
• CBD

近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50～100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院大学