摘要
为了获得高纯单相LiGaS2多晶原料,采用LiGa与S化合法合成LiGaS2,并与传统的单质直接合成法相对比.利用垂直长石英管作为反应器,采用X射线衍射和Raman光谱对其结构进行表征,同时利用差热–热重分析和紫外光谱对其热性能和光学性能进行研究.研究表明:采用LiGa与S化合法可以获得单相、均一的LiGaS2多晶材料;LiGaS2中的Li–S键平均力常数为fLi-S=16.0 N/m,Ga–S键平均力常数为fGa-S=39.6 N/m;LiGaS2多晶料的熔点为1 020℃,温度低于1 100℃,样品很稳定,没有分解现象;白色样品、黄色样品和灰色样品的紫外吸收边分别为323,435和496 ...
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单位哈尔滨工业大学; 化学化工学院; 宜宾学院; 电子工程学院; 牡丹江师范学院