高度集成的μLED显示技术研究进展

作者：严子雯; 严群; 李典伦; 张永爱; 周雄图; 叶芸; 郭太良; 孙捷^*

来源：发光学报, 2020, 41(10): 1309-1317.

• 微型发光二极管(μLED)
• 驱动
• 巨量转移
• 全彩化
• 高度集成

微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成显示,既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件,也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)。在许多显示技术的指标上,μLED的性能都很优异。但是,由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小,且往往密度提高,因此产生了许多新的技术和物理上的挑战,例如巨量转移技术、全彩化显示等,所以μLED尚未实现真正意义上的产业化。本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述,首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍,然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评,最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析。