多孔SiO2为栅介质的IGZO基双电层薄膜晶体管

作者:崔胜战; **豪; 王晓新; 阙怡涵; 马卓杰; 杜路路
来源:电子世界, 2021, (15): 21-22.
DOI:10.19353/j.cnki.dzsj.2021.15.009

摘要

<正>薄膜晶体管的低电压操作一直是研究者期待解决的问题。双电层电容具有巨大的电容,被认为是低功耗电子器件有希望的候选材料。我们以磁控溅射技术沉积多孔SiO2固态电解质薄膜为介质层,制备了铟镓锌氧(InGaZnO:IGZO)基双电层薄膜晶体管(EDLT)。

  • 单位
    电子工程学院

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