ESD应力下LDMOS器件软失效的分析及优化

作者：韩山明; 林丽娟; 喻钊; 蒋苓利; 张波

来源：微电子学, 2012, (01): 134-137.

• ESD
• 软泄漏电流
• 软失效
• LDMOS ESD
• Soft leakage current
• Soft failure
• LDMOS

分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬底接触间距的优化,消除了器件原先存在的软泄漏电流现象,并且没有过分增大器件的触发电压。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学